VISHAY

Транзистор SUM70030M-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SUM70030M-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100V
Drain current	150A
Pulsed drain current	500A
Power dissipation	375W
Корпус	TO263-7
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	3.7mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	214nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A

Документация

Документы пока не предоставлены.