Антава

VISHAY

Транзистор SUM65N20-30-E3

SUM65N20-30-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
65 A
Pulsed drain current
140 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUM65N20-30-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current65 A
Pulsed drain current140 A
Power dissipation375 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance84 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge130nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A

Документация

Документ производителя