VISHAY

Транзистор SUM60061EL-GE3

SUM60061EL-GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80 V
Drain current: -150 A
Pulsed drain current: -250 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SUM60061EL-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-80 V
Drain current	-150 A
Pulsed drain current	-250 A
Power dissipation	375 W
Корпус	D2PAK, TO263
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	8.6 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	218nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A

Документация

Документы пока не предоставлены.