Антава

VISHAY

Транзистор SUM55P06-19L-E3

SUM55P06-19L-E3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-31 A
Power dissipation
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUM55P06-19L-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-31 A
Power dissipation125 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance41 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge115nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -31A; 125W

Документация

Документ производителя