Антава

VISHAY

Транзистор SUM50010E-GE3

SUM50010E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
150A
Pulsed drain current
500A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUM50010E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current150A
Pulsed drain current500A
Power dissipation375W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2.2mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge212nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 150A; Idm: 500A

Документация

Документы пока не предоставлены.