VISHAY

Транзистор SUM40014M-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SUM40014M-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40V
Drain current	200A
Pulsed drain current	400A
Power dissipation	375W
Корпус	TO263-7
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	1.36mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	275nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A

Документация

Документы пока не предоставлены.