VISHAY
Транзистор SUM110P08-11L-E3
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- TrenchFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -80 V
- Drain current
- -110 A
- Pulsed drain current
- -120 A
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 70 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 093,26 ₽
Сумма · с НДС 22%1 093,26 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 093,26 ₽ | |
| от 5 | 854,70 ₽ | |
| от 10 | 725,08 ₽ | |
| от 25 | 680,00 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SUM110P08-11L-E3 |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | TrenchFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -80 V |
| Drain current | -110 A |
| Pulsed drain current | -120 A |
| Рассеиваемая мощность | 125 W |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 11.2 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 0.27µC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.