VISHAY

Транзистор SUM110P06-08L-E3

SUM110P06-08L-E3

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60 V
Drain current: -110 A
Pulsed drain current: -200 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SUM110P06-08L-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60 V
Drain current	-110 A
Pulsed drain current	-200 A
Power dissipation	272 W
Корпус	D2PAK, TO263
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	16 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	240nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -200A

Документация

Документы пока не предоставлены.