Антава

VISHAY

Транзистор SUM110P04-05-E3

SUM110P04-05-E3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-33 A
Рассеиваемая мощность
375 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 501 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 061,30 ₽

Сумма · с НДС 22%1 061,30 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 061,30 ₽
от 10641,47 ₽
от 50547,77 ₽
от 100517,14 ₽
от 250495,51 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSUM110P04-05-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-33 A
Рассеиваемая мощность375 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge280nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -33A; 375W

Документация

Документ производителя