VISHAY

Транзистор SUM110P04-04L-E3

SUM110P04-04L-E3

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SUM110P04-04L-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-40V
Drain current	-110A
Pulsed drain current	-240A
Power dissipation	375W
Корпус	D2PAK, TO263
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	7.6mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	0.35µC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -110A; Idm: -240A

Документация

Документы пока не предоставлены.