Антава

VISHAY

Транзистор SUM10250E-GE3

SUM10250E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250V
Drain current
63.5A
Power dissipation
125W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUM10250E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250V
Drain current63.5A
Power dissipation125W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance31mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge57.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 63.5A; 125W

Документация

Документ производителя