Антава

VISHAY

Транзистор SUG90090E-GE3

SUG90090E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
100A
Pulsed drain current
300A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUG90090E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current100A
Pulsed drain current300A
Power dissipation395W
КорпусTO247
Gate-source voltage±20V
On-state resistance10.4mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge129nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 300A

Документация

Документы пока не предоставлены.