Антава

VISHAY

Транзистор SUG80050E-GE3

SUG80050E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
100 A
Pulsed drain current
300 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUG80050E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current100 A
Pulsed drain current300 A
Power dissipation500 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6.3 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge165nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 100A; Idm: 300A

Документация

Документы пока не предоставлены.