Антава

VISHAY

Транзистор SUD90330E-GE3

SUD90330E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
35.8 A
Pulsed drain current
70 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUD90330E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current35.8 A
Pulsed drain current70 A
Power dissipation125 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance42.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge32nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 35.8A; Idm: 70A

Документация

Документы пока не предоставлены.