Антава

VISHAY

Транзистор SUD80460E-GE3

SUD80460E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150V
Drain current
42A
Pulsed drain current
40A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUD80460E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150V
Drain current42A
Pulsed drain current40A
Power dissipation65.2W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance44.7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 42A; Idm: 40A

Документация

Документы пока не предоставлены.