VISHAY

Транзистор SUD50P10-43L-GE3

SUD50P10-43L-GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100 V
Drain current: -36.4 A
Pulsed drain current: -40 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SUD50P10-43L-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-100 V
Drain current	-36.4 A
Pulsed drain current	-40 A
Power dissipation	72.7 W
Корпус	DPAK, TO252
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	43 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	160nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -36.4A; 72.7W

Документация

Документы пока не предоставлены.