Антава

VISHAY

Транзистор SUD50P10-43L-E3

SUD50P10-43L-E3
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-37.1 A
Pulsed drain current
-40 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUD50P10-43L-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-37.1 A
Pulsed drain current-40 A
Power dissipation95 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance43 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge160nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -37.1A; 95W

Документация

Документы пока не предоставлены.