VISHAY
Транзистор SUD50P08-25L-E3
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- TrenchFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -80 V
- Drain current
- -50 A
- Pulsed drain current
- -40 A
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 196 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%642,53 ₽
Сумма · с НДС 22%642,53 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 642,53 ₽ | |
| от 5 | 498,14 ₽ | |
| от 10 | 436,78 ₽ | |
| от 50 | 324,87 ₽ | |
| от 100 | 290,58 ₽ | |
| от 250 | 259,90 ₽ | |
| от 500 | 249,07 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SUD50P08-25L-E3 |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | TrenchFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -80 V |
| Drain current | -50 A |
| Pulsed drain current | -40 A |
| Рассеиваемая мощность | 95 W |
| Корпус | DPAK, TO252 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 25.2 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 160nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -50A; Idm: -40A
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.