VISHAY

Транзистор SUD50P04-08-GE3

SUD50P04-08-GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40 V
Drain current: -50 A
Pulsed drain current: -100 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SUD50P04-08-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-40 V
Drain current	-50 A
Pulsed drain current	-100 A
Power dissipation	73.5 W
Корпус	DPAK, TO252
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	8.1 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	159nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A

Документация

Документы пока не предоставлены.