Антава

VISHAY

Транзистор SUD50N04-8M8P-4GE3

SUD50N04-8M8P-4GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
14 A
Pulsed drain current
100 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 529 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%416,02 ₽

Сумма · с НДС 22%416,02 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1416,02 ₽
от 10240,47 ₽
от 100167,13 ₽
от 200147,40 ₽
от 500127,14 ₽
от 1000114,94 ₽
от 2500100,42 ₽
от 500090,20 ₽
от 750084,64 ₽
от 1000080,69 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSUD50N04-8M8P-4GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current14 A
Pulsed drain current100 A
Рассеиваемая мощность30.8 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge56nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A

Документация

Документы пока не предоставлены.