Антава

VISHAY

Транзистор SUD35N10-26P-GE3

SUD35N10-26P-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
35 A
Pulsed drain current
40 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSUD35N10-26P-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current35 A
Pulsed drain current40 A
Рассеиваемая мощность83 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance37.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge47nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W

Документация

Документы пока не предоставлены.