Антава

VISHAY

Транзистор SUD23N06-31-T4-GE3

SUD23N06-31-T4-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
17.1 A
Pulsed drain current
50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSUD23N06-31-T4-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current17.1 A
Pulsed drain current50 A
Рассеиваемая мощность31.25 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance31 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 17.1A; Idm: 50A

Документация

Документы пока не предоставлены.