Антава

VISHAY

Транзистор SUD23N06-31-GE3

SUD23N06-31-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
17.1 A
Рассеиваемая мощность
31.25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 641 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%294,92 ₽

Сумма · с НДС 22%294,92 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1294,92 ₽
от 5225,04 ₽
от 10195,92 ₽
от 50142,20 ₽
от 100125,11 ₽
от 50095,24 ₽
от 100091,86 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSUD23N06-31-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current17.1 A
Рассеиваемая мощность31.25 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance45 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W

Документация

Документ производителя