Антава

VISHAY

Транзистор SUD20N10-66L-GE3

SUD20N10-66L-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
16.9 A
Pulsed drain current
25 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSUD20N10-66L-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current16.9 A
Pulsed drain current25 A
Рассеиваемая мощность41.7 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance80 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16.9A; Idm: 25A

Документация

Документы пока не предоставлены.