Антава

VISHAY

Транзистор SUD19P06-60-GE3

SUD19P06-60-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-8.19 A
Power dissipation
2.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUD19P06-60-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-8.19 A
Power dissipation2.3 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance60 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.19A; 2.3W

Документация

Документ производителя