Антава

VISHAY

Транзистор SUD09P10-195-GE3

SUD09P10-195-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-8.8 A
Pulsed drain current
-15 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 491 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%239,65 ₽

Сумма · с НДС 22%239,65 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1239,65 ₽
от 10151,36 ₽
от 25130,28 ₽
от 50117,12 ₽
от 100106,13 ₽
от 25093,70 ₽
от 50090,45 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSUD09P10-195-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-8.8 A
Pulsed drain current-15 A
Рассеиваемая мощность32.1 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.195 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge34.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -8.8A; Idm: -15A

Документация

Документы пока не предоставлены.