Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STY60NM60

STY60NM60
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
37.8A
Pulsed drain current
60A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTY60NM60
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current37.8A
Pulsed drain current60A
Power dissipation460W
КорпусMAX247
Gate-source voltage±30V
On-state resistance55mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.8A; Idm: 60A; 460W; MAX247

Документация

Документ производителя