Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STY60NM50

STY60NM50
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
37.8 A
Power dissipation
560 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTY60NM50
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current37.8 A
Power dissipation560 W
КорпусMAX247
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance50 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37.8A; 560W; MAX247; ESD

Документация

Документ производителя