Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STY60NK30Z

STY60NK30Z
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
37.5 A
Power dissipation
450 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTY60NK30Z
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current37.5 A
Power dissipation450 W
КорпусMAX247
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance45 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 37.5A; 450W; MAX247; ESD

Документация

Документ производителя