Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STY112N65M5

STY112N65M5
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ V
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
61 A
Power dissipation
625 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTY112N65M5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ V
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current61 A
Power dissipation625 W
КорпусMAX247
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance22 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 61A; 625W; MAX247

Документация

Документ производителя