STMICROELECTRONICS

Транзистор STY100NM60N

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600 V
Drain current: 98 A
Power dissipation: 625 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	STY100NM60N
Производитель	STMICROELECTRONICS
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	MDmesh™
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	600 V
Drain current	98 A
Power dissipation	625 W
Корпус	TO247-3
On-state resistance	28 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 98A; 625W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.