Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STWA60N035M9

STWA60N035M9
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ M9
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
39 A
Pulsed drain current
250 A

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяSTWA60N035M9
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ M9
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current39 A
Pulsed drain current250 A
Power dissipation321 W
КорпусTO247
Gate-source voltage30 V
On-state resistance35 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge112nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 600V; 39A; Idm: 250A

Документация

Документы пока не предоставлены.