Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STWA50N65DM2AG

STWA50N65DM2AG
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™ DM2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
24A
Pulsed drain current
110A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTWA50N65DM2AG
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™ DM2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current24A
Pulsed drain current110A
Power dissipation300W
КорпусTO247
Gate-source voltage±25V
On-state resistance70mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge69nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 24A; Idm: 110A

Документация

Документ производителя