Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STWA32N65DM6AG

STWA32N65DM6AG
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ DM6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
23 A
Pulsed drain current
120 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTWA32N65DM6AG
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ DM6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current23 A
Pulsed drain current120 A
Power dissipation320 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance97 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge52.6nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 23A; Idm: 120A

Документация

Документ производителя