Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STW9N150

STW9N150
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PowerMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.5 kV
Drain current
5 A
Power dissipation
320 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 45 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 769,45 ₽

Сумма · с НДС 22%1 769,45 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 769,45 ₽
от 51 397,82 ₽
от 101 335,57 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTW9N150
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPowerMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.5 kV
Drain current5 A
Power dissipation320 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 5A; 320W; TO247

Документация

Документ производителя