Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STW75N65DM6-4

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™ DM6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
47 A
Pulsed drain current
280 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTW75N65DM6-4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™ DM6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current47 A
Pulsed drain current280 A
Power dissipation480 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance36 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge118nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A

Документация

Документ производителя