Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STW70N60M2-4

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ M2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
43 A
Pulsed drain current
272 A

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяSTW70N60M2-4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ M2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current43 A
Pulsed drain current272 A
Рассеиваемая мощность450 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge118nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A

Документация

Документ производителя