Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STW70N60DM6

STW70N60DM6
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
39 A
Pulsed drain current
220 A
Рассеиваемая мощность
390 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTW70N60DM6
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current39 A
Pulsed drain current220 A
Рассеиваемая мощность390 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance36 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge99nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247

Документация

Документ производителя