Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STW68N65DM6

STW68N65DM6
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™ DM6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
35A
Pulsed drain current
172A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTW68N65DM6
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™ DM6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current35A
Pulsed drain current172A
Power dissipation431W
КорпусTO247
Gate-source voltage±25V
On-state resistance59mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge80nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 35A; Idm: 172A

Документация

Документ производителя