Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STW68N60M6

STW68N60M6
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
40 A
Pulsed drain current
252 A
Power dissipation
390 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTW68N60M6
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current40 A
Pulsed drain current252 A
Power dissipation390 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance41 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge106nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 252A; 390W; TO247

Документация

Документ производителя