Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STW65N60DM6

STW65N60DM6
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™ DM6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
29A
Pulsed drain current
140A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTW65N60DM6
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™ DM6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current29A
Pulsed drain current140A
Power dissipation368W
КорпусTO247
Gate-source voltage±25V
On-state resistance71mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge65.2nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 29A; Idm: 140A

Документация

Документ производителя