STMICROELECTRONICS
Транзистор STW5NK100Z
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SuperMESH3™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 1 kV
- Drain current
- 2.2 A
- Рассеиваемая мощность
- 125 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 81 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 038,35 ₽
Сумма · с НДС 22%1 038,35 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 038,35 ₽ | |
| от 2 | 928,56 ₽ | |
| от 10 | 710,84 ₽ | |
| от 15 | 666,18 ₽ | |
| от 20 | 634,54 ₽ | |
| от 30 | 593,61 ₽ | |
| от 60 | 532,20 ₽ | |
| от 120 | 474,51 ₽ | |
| от 510 | 377,75 ₽ | |
| от 1200 | 331,23 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STW5NK100Z |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SuperMESH3™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1 kV |
| Drain current | 2.2 A |
| Рассеиваемая мощность | 125 W |
| Корпус | TO247 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 3.7 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.