Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STW58N65DM2AG

STW58N65DM2AG
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
30 A
Pulsed drain current
150 A
Power dissipation
360 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTW58N65DM2AG
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current30 A
Pulsed drain current150 A
Power dissipation360 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance58 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge88nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 150A; 360W; TO247

Документация

Документ производителя