Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STW58N60DM2AG

STW58N60DM2AG
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
31 A
Pulsed drain current
200 A
Рассеиваемая мощность
360 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTW58N60DM2AG
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current31 A
Pulsed drain current200 A
Рассеиваемая мощность360 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance52 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge90nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; Idm: 200A; 360W; TO247

Документация

Документ производителя