STMICROELECTRONICS
Транзистор STW56N65M2
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 650 V
- Drain current
- 31 A
- Pulsed drain current
- 196 A
- Power dissipation
- 358 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 20 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 819,68 ₽
Сумма · с НДС 22%1 819,68 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 819,68 ₽ | |
| от 5 | 1 502,71 ₽ | |
| от 10 | 1 321,32 ₽ | |
| от 30 | 1 214,39 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STW56N65M2 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 650 V |
| Drain current | 31 A |
| Pulsed drain current | 196 A |
| Power dissipation | 358 W |
| Корпус | TO247 |
| Gate-source voltage | ±25 V |
| On-state resistance | 49 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 93nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31A; Idm: 196A; 358W; TO247
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.