STMICROELECTRONICS
Транзистор STW56N60M2-4
Фото уточняется
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 650 V
- Drain current
- 33 A
- Pulsed drain current
- 208 A
- Power dissipation
- 350 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | STW56N60M2-4 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 650 V |
| Drain current | 33 A |
| Pulsed drain current | 208 A |
| Power dissipation | 350 W |
| Корпус | TO247-4 |
| Gate-source voltage | ±25 V |
| On-state resistance | 45 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 91nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 208A; 350W; TO247-4
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.