Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STW40N60M2-4

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ M2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
22 A
Pulsed drain current
136 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTW40N60M2-4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ M2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current22 A
Pulsed drain current136 A
Power dissipation250 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance88 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge57nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A

Документация

Документ производителя