Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STW3N170

STW3N170
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.7 kV
Drain current
1.6 A
Pulsed drain current
10.4 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTW3N170
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.7 kV
Drain current1.6 A
Pulsed drain current10.4 A
Power dissipation0.16 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance13 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1700V; 1.6A; Idm: 10.4A; 0.16W

Документация

Документ производителя