Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STW38N65M5

STW38N65M5
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ V
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
19 A
Power dissipation
190 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяSTW38N65M5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ V
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current19 A
Power dissipation190 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance73 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 19A; 190W; TO247

Документация

Документ производителя