STMICROELECTRONICS
Транзистор STW34NM60ND
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- FDmesh™ II
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 18 A
- Рассеиваемая мощность
- 190 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 28 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 697,08 ₽
Сумма · с НДС 22%1 697,08 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 697,08 ₽ | |
| от 10 | 1 592,87 ₽ | |
| от 30 | 1 283,98 ₽ | |
| от 150 | 839,24 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STW34NM60ND |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | FDmesh™ II |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 18 A |
| Рассеиваемая мощность | 190 W |
| Корпус | TO247 |
| Gate-source voltage | ±25 V |
| On-state resistance | 97 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.